Datasheet Texas Instruments CSD19538Q3AT — Ficha de datos

FabricanteTexas Instruments
SerieCSD19538Q3A
Numero de parteCSD19538Q3AT
Datasheet Texas Instruments CSD19538Q3AT

MOSFET de potencia NexFET de canal N de 100 V 8-VSONP -55 a 150

Hojas de datos

CSD19538Q3A 100-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 352 Kb, Revisión: A, Archivo publicado: marzo 20, 2017
Extracto del documento

Precios

Estado

Estado del ciclo de vidaActivo (Recomendado para nuevos diseños)
Disponibilidad de muestra del fabricanteNo

Embalaje

Pin8
Package TypeDNH
Package QTY250
CarrierSMALL T&R
Device Marking19538
Width (mm)3.3
Length (mm)3.3
Thickness (mm).8
Mechanical DataDescargar

Paramétricos

ConfigurationSingle
ID, Silicon limited at Tc=25degC13.7 A
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)36 A
PackageSON3x3 mm
QG Typ4.3 nC
QGD Typ0.8 nC
Rds(on) Max at VGS=10V61 mOhms
VDS100 V
VGS20 V
VGSTH Typ3.2 V

Plan ecológico

RoHSObediente

Notas de aplicación

  • Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs
    PDF, 1.4 Mb, Archivo publicado: nov 16, 2011

Linea modelo

Serie: CSD19538Q3A (2)

Clasificación del fabricante

  • Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor