Datasheet Texas Instruments CSD19532Q5BT — Ficha de datos

FabricanteTexas Instruments
SerieCSD19532Q5B
Numero de parteCSD19532Q5BT
Datasheet Texas Instruments CSD19532Q5BT

100V, 4.0 mOhm, SON5x6 N-Channel NexFET ™ Power MOSFET 8-VSON-CLIP -55 a 150

Hojas de datos

CSD19532Q5B 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 867 Kb, Revisión: B, Archivo publicado: jun 13, 2017
Extracto del documento

Precios

Estado

Estado del ciclo de vidaActivo (Recomendado para nuevos diseños)
Disponibilidad de muestra del fabricanteNo

Embalaje

Pin8
Package TypeDNK
Package QTY250
CarrierSMALL T&R
Device MarkingCSD19532
Width (mm)6
Length (mm)5
Thickness (mm).95
Mechanical DataDescargar

Paramétricos

ConfigurationSingle
ID, Silicon limited at Tc=25degC140 A
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)400 A
PackageSON5x6 mm
QG Typ48 nC
QGD Typ8.7 nC
Rds(on) Max at VGS=10V4.9 mOhms
VDS100 V
VGS20 V
VGSTH Typ2.6 V

Plan ecológico

RoHSObediente
Pb gratis

Notas de aplicación

  • Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs
    PDF, 1.4 Mb, Archivo publicado: nov 16, 2011

Linea modelo

Serie: CSD19532Q5B (2)

Clasificación del fabricante

  • Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor