Datasheet Texas Instruments CSD87312Q3E-ASY — Ficha de datos
| Fabricante | Texas Instruments |
| Serie | CSD87312Q3E |
| Numero de parte | CSD87312Q3E-ASY |
Doble MOSFET de potencia NexFET de canal N de 30 V 8-VSON -55 a 150
Hojas de datos
Dual 30-V N-Channel NexFet Power MOSFET, CSD87312Q3E datasheet
PDF, 783 Kb, Archivo publicado: nov 19, 2011
Extracto del documento
Precios
Estado
| Estado del ciclo de vida | Vista previa (El dispositivo ha sido anunciado pero no está en producción. Las muestras pueden o no estar disponibles) |
| Disponibilidad de muestra del fabricante | No |
Embalaje
| Pin | 8 |
| Package Type | DPB |
| Width (mm) | 3.3 |
| Length (mm) | 3.3 |
| Thickness (mm) | .9 |
| Mechanical Data | Descargar |
Paramétricos
| Approx. Price (US$) | 0.35 | 1ku |
| Configuration | Dual Common Source |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)(A) | 45 |
| Package (mm) | SON3x3 |
| QG Typ(nC) | 6.3 |
| QGD Typ(nC) | 0.7 |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V(mOhm) | 31 |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V(mOhms) | 38 |
| VDS(V) | 30 |
| VGS(V) | 10 |
| VGSTH Typ(V) | 1 |
Plan ecológico
| RoHS | Desobediente |
| Pb gratis | No |
Linea modelo
Serie: CSD87312Q3E (2)
- CSD87312Q3E CSD87312Q3E-ASY
Clasificación del fabricante
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
Otros nombres:
CSD87312Q3EASY, CSD87312Q3E ASY