Datasheet Texas Instruments CSD19536KTTT — Ficha de datos

FabricanteTexas Instruments
SerieCSD19536KTT
Numero de parteCSD19536KTTT
Datasheet Texas Instruments CSD19536KTTT

CSD19536KTT 100 V N-Channel NexFET ™ Power MOSFET 3-DDPAK / TO-263

Hojas de datos

CSD19536KTT 100-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 915 Kb, Revisión: B, Archivo publicado: agosto 16, 2016
Extracto del documento

Precios

Estado

Estado del ciclo de vidaActivo (Recomendado para nuevos diseños)
Disponibilidad de muestra del fabricanteNo

Embalaje

Pin3
Package TypeKTT
Industry STD TermTO-263
JEDEC CodeR-PSFM-G
Package QTY50
CarrierSMALL T&R
Device MarkingCSD19536KTT
Width (mm)8.41
Length (mm)10.18
Thickness (mm)4.44
Pitch (mm)2.54
Max Height (mm)4.83
Mechanical DataDescargar

Paramétricos

ConfigurationSingle
ID, Silicon limited at Tc=25degC272 A
ID, package limited200 A
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)400 A
PackageD2PAK mm
QG Typ118 nC
QGD Typ17 nC
Rds(on) Max at VGS=10V2.4 mOhms
VDS100 V
VGS20 V
VGSTH Typ2.5 V

Plan ecológico

RoHSObediente
Pb gratis

Linea modelo

Serie: CSD19536KTT (2)

Clasificación del fabricante

  • Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor