Datasheet Texas Instruments CSD17556Q5BT — Ficha de datos

FabricanteTexas Instruments
SerieCSD17556Q5B
Numero de parteCSD17556Q5BT
Datasheet Texas Instruments CSD17556Q5BT

MOSFET de potencia NexFET de canal N de 30 V 8-VSON-CLIP -55 a 150

Hojas de datos

CSD17556Q5B 30-V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 871 Kb, Revisión: C, Archivo publicado: enero 17, 2017
Extracto del documento

Precios

Estado

Estado del ciclo de vidaActivo (Recomendado para nuevos diseños)
Disponibilidad de muestra del fabricanteNo

Embalaje

Pin8
Package TypeDNK
Package QTY250
CarrierSMALL T&R
Device MarkingCSD17556
Width (mm)6
Length (mm)5
Thickness (mm).95
Mechanical DataDescargar

Paramétricos

ConfigurationSingle
ID, Silicon limited at Tc=25degC215 A
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)400 A
PackageSON5x6 mm
QG Typ28.5 nC
QGD Typ6.9 nC
RDS(on) Typ at VGS=4.5V1.5 mOhm
Rds(on) Max at VGS=10V1.4 mOhms
Rds(on) Max at VGS=4.5V1.8 mOhms
VDS30 V
VGS20 V
VGSTH Typ1.4 V

Plan ecológico

RoHSObediente
Pb gratis

Notas de aplicación

  • Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs
    PDF, 1.4 Mb, Archivo publicado: nov 16, 2011

Linea modelo

Serie: CSD17556Q5B (2)

Clasificación del fabricante

  • Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor