Datasheet Texas Instruments CSD19532Q5B — Ficha de datos
Fabricante | Texas Instruments |
Serie | CSD19532Q5B |
MOSFET de potencia NexFET® ™ de canal N de 100 V, 4.0 mOhm, SON5x6
Hojas de datos
CSD19532Q5B 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 867 Kb, Revisión: B, Archivo publicado: jun 13, 2017
Extracto del documento
Precios
Estado
CSD19532Q5B | CSD19532Q5BT | |
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Estado del ciclo de vida | Activo (Recomendado para nuevos diseños) | Activo (Recomendado para nuevos diseños) |
Disponibilidad de muestra del fabricante | No | Sí |
Embalaje
CSD19532Q5B | CSD19532Q5BT | |
---|---|---|
N | 1 | 2 |
Pin | 8 | 8 |
Package Type | DNK | DNK |
Package QTY | 2500 | 250 |
Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
Device Marking | CSD19532 | CSD19532 |
Width (mm) | 6 | 6 |
Length (mm) | 5 | 5 |
Thickness (mm) | .95 | .95 |
Mechanical Data | Descargar | Descargar |
Paramétricos
Parameters / Models | CSD19532Q5B | CSD19532Q5BT |
---|---|---|
Configuration | Single | Single |
ID, Silicon limited at Tc=25degC, A | 140 | 140 |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 400 | 400 |
Package, mm | SON5x6 | SON5x6 |
QG Typ, nC | 48 | 48 |
QGD Typ, nC | 8.7 | 8.7 |
Rds(on) Max at VGS=10V, mOhms | 4.9 | 4.9 |
VDS, V | 100 | 100 |
VGS, V | 20 | 20 |
VGSTH Typ, V | 2.6 | 2.6 |
Plan ecológico
CSD19532Q5B | CSD19532Q5BT | |
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RoHS | Obediente | Obediente |
Pb gratis | Sí | Sí |
Notas de aplicación
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Mb, Archivo publicado: nov 16, 2011
Linea modelo
Serie: CSD19532Q5B (2)
Clasificación del fabricante
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor