Datasheet Texas Instruments CSD19532Q5B — Ficha de datos

FabricanteTexas Instruments
SerieCSD19532Q5B
Datasheet Texas Instruments CSD19532Q5B

MOSFET de potencia NexFET® ™ de canal N de 100 V, 4.0 mOhm, SON5x6

Hojas de datos

CSD19532Q5B 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 867 Kb, Revisión: B, Archivo publicado: jun 13, 2017
Extracto del documento

Precios

Estado

CSD19532Q5BCSD19532Q5BT
Estado del ciclo de vidaActivo (Recomendado para nuevos diseños)Activo (Recomendado para nuevos diseños)
Disponibilidad de muestra del fabricanteNo

Embalaje

CSD19532Q5BCSD19532Q5BT
N12
Pin88
Package TypeDNKDNK
Package QTY2500250
CarrierLARGE T&RSMALL T&R
Device MarkingCSD19532CSD19532
Width (mm)66
Length (mm)55
Thickness (mm).95.95
Mechanical DataDescargarDescargar

Paramétricos

Parameters / ModelsCSD19532Q5B
CSD19532Q5B
CSD19532Q5BT
CSD19532Q5BT
ConfigurationSingleSingle
ID, Silicon limited at Tc=25degC, A140140
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A400400
Package, mmSON5x6SON5x6
QG Typ, nC4848
QGD Typ, nC8.78.7
Rds(on) Max at VGS=10V, mOhms4.94.9
VDS, V100100
VGS, V2020
VGSTH Typ, V2.62.6

Plan ecológico

CSD19532Q5BCSD19532Q5BT
RoHSObedienteObediente
Pb gratis

Notas de aplicación

  • Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs
    PDF, 1.4 Mb, Archivo publicado: nov 16, 2011

Linea modelo

Serie: CSD19532Q5B (2)

Clasificación del fabricante

  • Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor