Datasheet International Rectifier IRL3103PbF — Ficha de datos

FabricanteInternational Rectifier
SerieIRL3103PbF
Numero de parteIRL3103PbF

MOSFET de potencia HEXFET de canal N único de 30 V en un paquete TO-220AB

Hojas de datos

Datasheet IRL3103PbF
PDF, 198 Kb, Idioma: en, Archivo subido: oct 5, 2022, Páginas: 10
HEXFET Power MOSFET
Extracto del documento

Precios

Descripción detallada

Los MOSFET de potencia HEXFET® avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio.

Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo resistente por el que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, brinda al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

Clasificación del fabricante

  • Power > MOSFET (Si/SiC) > N-Channel Power MOSFET