Datasheet Microchip VP0109N3-G — Ficha de datos

FabricanteMicrochip
SerieVP0109
Numero de parteVP0109N3-G

Este transistor en modo de mejora (normalmente apagado) utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado

Hojas de datos

VP0109 Datasheet - P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
PDF, 652 Kb, Revisión: 06-27-2014
Extracto del documento

Precios

Estado

Estado del ciclo de vidaProducción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas)

Embalaje

PackageTO-92
Pins3

Paramétricos

BVdss min-90 V
CISSmax60 pF
Operating Temperature Range-55 to +150 °C
Rds8 on) max
Vgs(th) max-3.5 V

Plan ecológico

RoHSObediente

Linea modelo

Serie: VP0109 (1)
  • VP0109N3-G

Otros nombres:

VP0109N3G, VP0109N3 G