Datasheet Microchip VP0109 — Ficha de datos

FabricanteMicrochip
SerieVP0109

Este transistor en modo de mejora (normalmente apagado) utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado

Hojas de datos

VP0109 Datasheet - P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
PDF, 652 Kb, Revisión: 06-27-2014
Extracto del documento

Precios

Estado

VP0109N3-G
Estado del ciclo de vidaProducción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas)

Embalaje

VP0109N3-G
N1
PackageTO-92
Pins3

Paramétricos

Parameters / ModelsVP0109N3-G
BVdss min, V-90
CISSmax, pF60
Operating Temperature Range, °C-55 to +150
Rds, on) max8
Vgs(th) max, V-3.5

Plan ecológico

VP0109N3-G
RoHSObediente

Linea modelo

Serie: VP0109 (1)