Datasheet Texas Instruments CSD17318Q2T — Ficha de datos

FabricanteTexas Instruments
SerieCSD17318Q2
Numero de parteCSD17318Q2T
Datasheet Texas Instruments CSD17318Q2T

MOSFET de potencia NexFET ™ de canal N de 30 V 6-WSON -55 a 150

Hojas de datos

CSD17318Q2 30-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 941 Kb, Revisión: A, Archivo publicado: jul 18, 2017
Extracto del documento

Precios

Estado

Estado del ciclo de vidaActivo (Recomendado para nuevos diseños)
Disponibilidad de muestra del fabricanteNo

Embalaje

Pin6
Package TypeDQK
Package QTY250
CarrierSMALL T&R
Device Marking1718
Width (mm)2
Length (mm)2
Thickness (mm).75
Mechanical DataDescargar

Paramétricos

ConfigurationSingle
ID, Silicon limited at Tc=25degC25 A
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)68 A
PackageSON2x2 mm
QG Typ6.0 nC
QGD Typ1.3 nC
RDS(on) Typ at VGS=4.5V13.9 mOhm
Rds(on) Max at VGS=4.5V16.9 mOhms
VDS30 V
VGS10 V
VGSTH Typ0.9 V

Plan ecológico

RoHSObediente

Linea modelo

Serie: CSD17318Q2 (2)

Clasificación del fabricante

  • Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor