Datasheet ON Semiconductor SBC847BDW1T1G — Ficha de datos

FabricanteON Semiconductor
SerieBC847BDW1
Numero de parteSBC847BDW1T1G

Transistor bipolar NPN dual

Hojas de datos

Datasheet BC846BDW1, BC847BDW1, BC848CDW1
PDF, 107 Kb, Idioma: en, Revisión: 11, Archivo subido: jul 7, 2019, Páginas: 11
Dual NPN Bipolar Transistor
Extracto del documento

Precios

Descripción detallada

El transistor bipolar NPN dual está diseñado para aplicaciones de amplificador de propósito general.

Está alojado en el SOT-363 / SC-88, que está diseñado para aplicaciones de montaje en superficie de baja potencia.

Estado

Estado del ciclo de vidaActivo (Recomendado para nuevos diseños)

Embalaje

PackageSC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6
Package Code419B-02

Plan ecológico

ConformidadAEC Qualified | PPAP Capable | Pb-free | Halide free

Otras opciones

BC846BDW1 BC846C BC848CDW1

Linea modelo

Clasificación del fabricante

  • Discrete > Bipolar Junction Transistors (BJT) > General Purpose and Low VCE(sat) Transistors