Transistor de montaje superficial de 20 V, 1 A, 2 W, señal pequeña ( =1 A), NPN, alta corriente en encapsulado SOT-223 Descontinuado / Obsoleto CBCP68 y CBCP69 son transistores de silicio complementarios fabricados mediante el proceso planar ...
Transistor de montaje superficial de 20 V, 1 A, 2 W, señal pequeña ( =1 A), PNP, alta corriente en encapsulado SOT-223 Descontinuado / Obsoleto CBCP68 y CBCP69 son transistores de silicio complementarios fabricados mediante el proceso planar ...
Transistores de potencia de silicio complementarios Los BD909 y BD911 son transistores de potencia NPN de base epitaxial de silicio, montados en un encapsulado plástico Jedec TO-220. Están diseñados para aplicaciones de potencia lineal y de ...
Transistores de potencia de silicio complementarios Los BD909 y BD911 son transistores de potencia NPN de base epitaxial de silicio, montados en un encapsulado plástico Jedec TO-220. Están diseñados para aplicaciones de potencia lineal y de ...
Transistores de potencia de silicio complementarios Los BD909 y BD911 son transistores de potencia NPN de base epitaxial de silicio, montados en un encapsulado plástico Jedec TO-220. Están diseñados para aplicaciones de potencia lineal y de ...
Transistores de potencia de silicio complementarios Los BD909 y BD911 son transistores de potencia NPN de base epitaxial de silicio, montados en un encapsulado plástico Jedec TO-220. Están diseñados para aplicaciones de potencia lineal y de ...