Datasheet Toshiba 2SC5200-O(S1,F — Ficha de datos

FabricanteToshiba
Serie2SC5200
Numero de parte2SC5200-O(S1,F
Datasheet Toshiba 2SC5200-O(S1,F

Transistor de potencia para aplicaciones de conmutación de alta velocidad.

Hojas de datos

Datasheet 2SC5200
PDF, 208 Kb, Idioma: en, Archivo publicado: enero, 2016, Páginas: 5
Silicon NPN Triple Diffused Type
Extracto del documento

Precios

Embalaje

Manufacture Package CodeTO-3P(L)

Paramétricos

Application ScopeAudio amplifier output stage 100-W
Assembly basesChina / Japan
Collector Emitter Saturation Voltage (Max) [IB=800mA
IC=8A]
3.0 Ⅴ
Complementary Product2SA1943
DC Current Gain hFE (Max) [IC=1A
VCE=5V]
160 -
DC Current Gain hFE (Min) [IC=1A
VCE=5V]
55 -
PolarityNPN
Transition frequency (Typ.) [IC=1A
VCE=5V]
30 MHz

Plan ecológico

RoHSObediente

Linea modelo

Serie: 2SC5200 (1)
  • 2SC5200-O(S1,F

Clasificación del fabricante

  • Bipolar Transistors > Bipolar Transistors

Otros nombres:

2SC5200O(S1,F, 2SC5200 O(S1,F, 2SC5200-O(S1F, 2SC5200-O(S1 F