Datasheet Toshiba TK2P90E — Ficha de datos

FabricanteToshiba
SerieTK2P90E
Numero de parteTK2P90E
Datasheet Toshiba TK2P90E

MOSFET de potencia (N-ch 700V <VDSS)

Hojas de datos

Datasheet TK2P90E
PDF, 334 Kb, Idioma: en, Archivo publicado: sept, 2014, Páginas: 9
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (π-MOSVIII)
Extracto del documento

Precios

Embalaje

Manufacture Package CodeDPAK

Paramétricos

Application ScopeSwitching Voltage Regulators
Assembly basesChina
Drain-Source on-resistance (Max) [|VGS|=10V]5.9 Ω
Gate threshold voltage (Max)4.0 V
Generationπ-MOSⅧ
Input capacitance (Typ.)500 pF
Internal ConnectionSingle
PolarityN-ch
Total gate charge (Typ.) [VGS=10V]12 nC

Plan ecológico

RoHSObediente

Clasificación del fabricante