Datasheet IXYS IXTP02N50D — Ficha de datos

FabricanteIXYS
SerieIXTP02N50D
Numero de parteIXTP02N50D
Datasheet IXYS IXTP02N50D

MOSFET de potencia de alto voltaje

Hojas de datos

Datasheet IXTY02N50D, IXTU02N50D, IXTP02N50D
PDF, 213 Kb, Idioma: en, Archivo subido: mayo 15, 2020, Páginas: 4
High VoltagePower MOSFET
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Precios

Descripción detallada

Los MOSFET de modo de agotamiento, a diferencia de los MOSFET de tipo de mejora regular, requieren un sesgo de puerta negativo para apagarse.

En consecuencia, permanecen en o por encima del voltaje de polarización de puerta cero, pero por lo demás tienen características similares a las del MOSFET. Son adecuados para cambios de nivel, relés de estado sólido, reguladores de corriente y cargas activas.

Tipo de paquete: TO-220

Otras opciones

IXTU02N50D IXTU02N50D IXTY02N50D IXTY02N50D

Clasificación del fabricante