Datasheet Diodes DMN3012LEG — Ficha de datos

Fabricante	Diodes
Serie	DMN3012LEG

MOSFET de modo de mejora de canal N sincrónico de 30V

Hojas de datos

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PDF, 611 Kb, Idioma: en, Archivo subido: jun 3, 2020, Páginas: 10
30V Synchronous N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Extracto del documento

Descripción detallada

Este MOSFET de nueva generación está diseñado para minimizar la resistencia en estado activado (RDS (ON)) y, a la vez, mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.

Embalaje

	DMN3012LEG-7
N	1
Package	PowerDI3333-8 (Type D)

Paramétricos

Parameters / Models	DMN3012LEG-7
Automotive Compliant PPAP	No
CISS Typ	650/1137 pF
ESD Diodes	No Y/N
IDS @ TA = +25°C	10, 10 A
IDS @ TC = +25°C	20 A
PD @ TA = +25°C	2.16 W
PD @ TC = +25°C	2.2 W
Polarity	N+N
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)	4.7, 9.7 nC
Qualified to AECQ10x	No
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)	12, 6 mΩ
VDS	30, 30 V
VGS	10, 10 ±V
VGS (th) Max	2.1, 1.15 V

Linea modelo

Serie: DMN3012LEG (1)

DMN3012LEG-7

Clasificación del fabricante

Discrete > MOSFETs > MOSFET Master Table