Datasheet Diodes DMN3012LEG — Ficha de datos

FabricanteDiodes
SerieDMN3012LEG

MOSFET de modo de mejora de canal N sincrónico de 30V

Hojas de datos

Datasheet DMN3012LEG
PDF, 611 Kb, Idioma: en, Archivo subido: jun 3, 2020, Páginas: 10
30V Synchronous N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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Precios

Descripción detallada

Este MOSFET de nueva generación está diseñado para minimizar la resistencia en estado activado (RDS (ON)) y, a la vez, mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.

Embalaje

DMN3012LEG-7
PackagePowerDI3333-8 (Type D)

Paramétricos

Parameters / ModelsDMN3012LEG-7
Automotive Compliant PPAPNo
CISS Typ650/1137 pF
ESD DiodesNo Y/N
IDS @ TA = +25°C10, 10 A
IDS @ TC = +25°C20 A
PD @ TA = +25°C2.16 W
PD @ TC = +25°C2.2 W
PolarityN+N
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)4.7, 9.7 nC
Qualified to AECQ10xNo
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)12, 6 mΩ
VDS30, 30 V
VGS10, 10 ±V
VGS (th) Max2.1, 1.15 V

Linea modelo

Serie: DMN3012LEG (1)

Clasificación del fabricante