Datasheet Toshiba XPN12006NC — Ficha de datos

FabricanteToshiba
SerieXPN12006NC
Numero de parteXPN12006NC
Datasheet Toshiba XPN12006NC

MOSFET de potencia (N-ch single 30V <VDSS≤60V)

Hojas de datos

Datasheet XPN12006NC
PDF, 574 Kb, Idioma: en, Archivo publicado: jun, 2020, Páginas: 10
MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOSVIII-H)
Extracto del documento

Precios

Estado

Estado del ciclo de vidaActivo (Recomendado para nuevos diseños)

Embalaje

Pins8
Manufacture Package CodeTSON Advance(WF)
MountingSurface Mount
Width×Length×Height3.3×3.6×0.85 mm

Paramétricos

AEC-Q101Qualified
Application ScopeDC-DC Converters / Automotive / Switching Voltage Regulators / Motor Drivers
Assembly basesJapan
Drain current20 A
Drain-Source on-resistance (Max) [|VGS|=10V]12 mΩ
Drain-Source on-resistance (Max) [|VGS|=4.5V]23.7 mΩ
Drain-Source voltage60 V
Gate threshold voltage (Max)2.5 V
Gate-Source voltage+/-20 V
GenerationU-MOSⅧ-H
Input capacitance (Typ.)1100 pF
Internal ConnectionSingle
PolarityN-ch
Power Dissipation65 W
Total gate charge (Typ.) [VGS=10V]23 nC

Plan ecológico

RoHSObediente