Datasheet Toshiba SSM3H137TU — Ficha de datos

FabricanteToshiba
SerieSSM3H137TU
Numero de parteSSM3H137TU
Datasheet Toshiba SSM3H137TU

Pequeños MOSFET de baja resistencia

Hojas de datos

Datasheet SSM3H137TU
PDF, 231 Kb, Idioma: en, Archivo publicado: marzo, 2016, Páginas: 9
MOSFETs Silicon N-Channel MOS
Extracto del documento

Precios

Estado

Estado del ciclo de vidaActivo (Recomendado para nuevos diseños)

Embalaje

Pins3
Package CodeSOT-323F
Manufacture Package CodeUFM
MountingSurface Mount
Width×Length×Height2.0×2.1×0.7 mm

Paramétricos

AEC-Q101Qualified(*)
Application ScopeRelay Drivers
Assembly basesThailand
Drain current2.0 A
Drain-Source on-resistance (Max) [|VGS|=10V]240 mΩ
Drain-Source on-resistance (Max) [|VGS|=4.5V]280 mΩ
Drain-Source on-resistance (Max) [|VGS|=4V]295 mΩ
Drain-Source voltage34 V
FeaturesRelay Drivers
Gate threshold voltage (Max)1.7 V
Gate-Source voltage+/-20 V
GenerationU-MOSⅣ
Input capacitance (Typ.)119 pF
Internal ConnectionSingle
PolarityN-ch + Active Clamp Zener
Power Dissipation0.8 W
Total gate charge (Typ.) [VGS=10V]3.0 nC

Plan ecológico

RoHSObediente

Clasificación del fabricante