Datasheet Toshiba TW070J120B — Ficha de datos

FabricanteToshiba
SerieTW070J120B
Numero de parteTW070J120B
Datasheet Toshiba TW070J120B

MOSFET de potencia SiC

Hojas de datos

Datasheet TW070J120B
PDF, 518 Kb, Idioma: en, Archivo publicado: agosto, 2020, Páginas: 10
MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS
Extracto del documento

Precios

Estado

Estado del ciclo de vidaActivo (Recomendado para nuevos diseños)

Embalaje

Pins3
Manufacture Package CodeTO-3P(N)
MountingThrough Hole
Width×Length×Height15.5×20.0×4.5 mm

Paramétricos

Assembly basesJapan
Drain current36 A
Drain-Source on-resistance (Max) [|VGS|=20V]90 mΩ
Drain-Source voltage1200 V
Input capacitance (Typ.)1680 pF
JEITASC-65
PolarityN-ch

Plan ecológico

RoHSObediente

Clasificación del fabricante