Datasheet STMicroelectronics MASTERGAN2 — Ficha de datos

FabricanteSTMicroelectronics
SerieMASTERGAN2

Controlador de medio puente de 600 V de alta densidad de potencia con dos modos de mejora GaN HEMT

Hojas de datos

Datasheet MASTERGAN2
PDF, 1.6 Mb, Idioma: en, Archivo subido: feb 7, 2021, Páginas: 29
High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT
Extracto del documento

Precios

Descripción detallada

El MASTERGAN2 es un paquete de sistema de energía avanzado que integra un controlador de puerta y dos transistores GaN de modo de mejora en una configuración asimétrica de medio puente.

Los GaN de potencia integrados tienen un voltaje de ruptura de la fuente de drenaje de 650 V y R DS (ON) de 150 mΩ y 225 mΩ para el lado bajo y el lado alto respectivamente, mientras que el lado alto del controlador de puerta integrado se puede suministrar fácilmente mediante el diodo de arranque integrado , mientras que el lado alto del controlador de puerta integrado se puede suministrar fácilmente mediante el diodo de arranque integrado.
El MASTERGAN2 cuenta con protección UVLO en las secciones de conducción inferior y superior, lo que evita que los interruptores de alimentación funcionen en condiciones de baja eficiencia o peligrosas, y la función de enclavamiento evita condiciones de conducción cruzada.
El rango extendido de los pines de entrada permite una fácil interfaz con microcontroladores, unidades DSP o sensores de efecto Hall.
El MASTERGAN2 opera en el rango de temperatura industrial, de -40 ° C a 125 ° C.
El dispositivo está disponible en un paquete compacto QFN de 9x9 mm.

Estado

MASTERGAN2MASTERGAN2TR
Estado del ciclo de vidaActivo (Recomendado para nuevos diseños)Activo (Recomendado para nuevos diseños)

Embalaje

MASTERGAN2MASTERGAN2TR
PackageVFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MMVFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM

Linea modelo

Serie: MASTERGAN2 (2)

Clasificación del fabricante

  • Power Management > Gate Drivers > High Voltage Half Bridge Gate Drivers