Datasheet Motorola MTP2N50E — Ficha de datos

FabricanteMotorola
SerieMTP2N50E
Numero de parteMTP2N50E

Transistor de efecto de campo de potencia TMOS E-FET - Puerta de silicio de modo de mejora de canal N - TMOS Power FET 2.0 amperios 500 voltios RDS (encendido) = 3.6 ohmios - caja 221A – 06, estilo 5, TO – 220AB

Hojas de datos

Datasheet MTP2N50E
PDF, 253 Kb, Idioma: en, Archivo subido: feb 12, 2021, Páginas: 8
TMOS E-FET Power Field Effect Transistor - N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate - TMOS Power FET 2.0 Amperes 500 Volts RDS(on) = 3.6 Ohm - Case 221A–06, Style 5 TO–220AB
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Precios

Descripción detallada

Este MOSFET de alto voltaje utiliza un esquema de terminación avanzado para proporcionar una capacidad mejorada de bloqueo de voltaje sin degradar el rendimiento con el tiempo.

Además, este TMOS E – FET avanzado está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación.