Datasheet Infineon IGB110S101XTMA1 — Ficha de datos

FabricanteInfineon
SerieIGB110S101
Numero de parteIGB110S101XTMA1

El IGB110S101 es un transistor de potencia en modo eléctrico de 100 V, normalmente desactivado, alojado en un pequeño encapsulado PQFN 3x3, lo que permite diseños con alta densidad de potencia.

Hojas de datos

Datasheet IGB110S101
PDF, 1.2 Mb, Idioma: en, Revisión: 01_00, Archivo subido: abr 23, 2025, Páginas: 18
CoolGaN Transistor 100 V G3
Extracto del documento

Descripción detallada

Gracias a su baja resistencia en estado activado, es la opción ideal para un rendimiento fiable en aplicaciones exigentes de alta tensión y alta corriente.

Estado

Estado del ciclo de vidaActivo (Recomendado para nuevos diseños)

Linea modelo

Serie: IGB110S101 (1)
  • IGB110S101XTMA1

Clasificación del fabricante

  • Power > Gallium nitride (GaN) > GaN transistors