Datasheet Diodes DMP10H400SK3-13 — Ficha de datos

FabricanteDiodes
SerieDMP10H400SK3
Numero de parteDMP10H400SK3-13
Datasheet Diodes DMP10H400SK3-13

Modo de mejora del canal P MOSFET

Hojas de datos

Datasheet DMP10H400SK3
PDF, 519 Kb, Idioma: en, Archivo subido: agosto 11, 2025, Páginas: 6
P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Extracto del documento

Descripción detallada

Este MOSFET de modo de mejora de canal P de 100 V de nueva generación ha sido diseñado para minimizar la R DS(on) y, al mismo tiempo, mantener un rendimiento de conmutación superior.

Este dispositivo es ideal para la gestión de energía CC/CC y aplicaciones en placas base y servidores.

Paramétricos

AEC QualifiedYes
CISS Condition @|VDS| (V)25 V
CISS Typ (pF)1239 pF
Compliance (Only Automotive Supports PPAP)Standard
ESD Diodes (Y|N)No
PD @TC = +25°C (W)42 W
PolarityP
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC)17.5 nC
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC)8.4 nC
RDS(ON)Max@ VGS(10V) (mΩ)240 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V) (mΩ)300 mΩ
|IDS| @TC = +25°C (A)9 A
|VDS| (V)100 V
|VGS(TH)| Max (V)3 V
|VGS| (±V)20 ±V

Linea modelo

Serie: DMP10H400SK3 (1)
  • DMP10H400SK3-13

Clasificación del fabricante

  • Discrete Semiconductors > MOSFETs > DMP10H400SK3

Otros nombres:

DMP10H400SK313, DMP10H400SK3 13