Datasheet Diodes DMTH4008LFDFWQ-7R — Ficha de datos
| Fabricante | Diodes |
| Serie | DMTH4008LFDFWQ |
| Numero de parte | DMTH4008LFDFWQ-7R |
MOSFET de modo de mejora de canal N de 40 V +175 °C
Hojas de datos
Datasheet DMTH4008LFDFWQ
PDF, 484 Kb, Idioma: en, Archivo subido: sept 9, 2025, Páginas: 8
40V +175?C N-Channel Enhancement Mode MOSFET
40V +175?C N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Extracto del documento
Descripción detallada
Este MOSFET está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices.
Cumple con la certificación AEC-Q101, está respaldado por un PPAP y es ideal para funciones de administración de energía, convertidores CC-CC y retroiluminación.
Paramétricos
| AEC Qualified | Yes |
| CISS Condition @|VDS| (V) | 20 V |
| CISS Typ (pF) | 1030 pF |
| Compliance (Only Automotive Supports PPAP) | Automotive |
| ESD Diodes (Y|N) | No |
| PD @TA = +25°C (W) | 2.35 W |
| Polarity | N |
| QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) | 14.2 nC |
| QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) | 6.8 nC |
| RDS(ON)Max@ VGS(10V) (mΩ) | 11.5 mΩ |
| RDS(ON)Max@ VGS(4.5V) (mΩ) | 18 mΩ |
| |IDS| @TA = +25°C (A) | 11.6 A |
| |VDS| (V) | 40 V |
| |VGS(TH)| Max (V) | 3 V |
| |VGS(TH)| Min (V) | 1 V |
| |VGS| (±V) | 20 ±V |
Linea modelo
Serie: DMTH4008LFDFWQ (6)
Clasificación del fabricante
- Discrete Semiconductors > MOSFETs > DMTH4008LFDFWQ
Otros nombres:
DMTH4008LFDFWQ7R, DMTH4008LFDFWQ 7R