Datasheet Diodes DMTH4008LFDFWQ — Ficha de datos

Fabricante	Diodes
Serie	DMTH4008LFDFWQ

MOSFET de modo de mejora de canal N de 40 V +175 °C

Hojas de datos

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PDF, 484 Kb, Idioma: en, Archivo subido: sept 9, 2025, Páginas: 8
40V +175?C N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Extracto del documento

Descripción detallada

Este MOSFET está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices.

Cumple con la certificación AEC-Q101, está respaldado por un PPAP y es ideal para funciones de administración de energía, convertidores CC-CC y retroiluminación.

Paramétricos

Parameters / Models	DMTH4008LFDFWQ-13	DMTH4008LFDFWQ-13R	DMTH4008LFDFWQ-13R-A	DMTH4008LFDFWQ-7	DMTH4008LFDFWQ-7R	DMTH4008LFDFWQ-7R-A
AEC Qualified	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes
CISS Condition @\|VDS\| (V)	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V
CISS Typ (pF)	1030 pF	1030 pF	1030 pF	1030 pF	1030 pF	1030 pF
Compliance (Only Automotive Supports PPAP)	Automotive	Automotive	Automotive	Automotive	Automotive	Automotive
ESD Diodes (Y\|N)	No	No	No	No	No	No
PD @TA = +25°C (W)	2.35 W	2.35 W	2.35 W	2.35 W	2.35 W	2.35 W
Polarity	N	N	N	N	N	N
QG Typ @ \|VGS\| = 10V (nC)	14.2 nC	14.2 nC	14.2 nC	14.2 nC	14.2 nC	14.2 nC
QG Typ @ \|VGS\| = 4.5V (nC)	6.8 nC	6.8 nC	6.8 nC	6.8 nC	6.8 nC	6.8 nC
RDS(ON)Max@ VGS(10V) (mΩ)	11.5 mΩ	11.5 mΩ	11.5 mΩ	11.5 mΩ	11.5 mΩ	11.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V) (mΩ)	18 mΩ	18 mΩ	18 mΩ	18 mΩ	18 mΩ	18 mΩ
\|IDS\| @TA = +25°C (A)	11.6 A	11.6 A	11.6 A	11.6 A	11.6 A	11.6 A
\|VDS\| (V)	40 V	40 V	40 V	40 V	40 V	40 V
\|VGS(TH)\| Max (V)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
\|VGS(TH)\| Min (V)	1 V	1 V	1 V	1 V	1 V	1 V
\|VGS\| (±V)	20 ±V	20 ±V	20 ±V	20 ±V	20 ±V	20 ±V

Linea modelo

Serie: DMTH4008LFDFWQ (6)

DMTH4008LFDFWQ-13 DMTH4008LFDFWQ-13R DMTH4008LFDFWQ-13R-A DMTH4008LFDFWQ-7 DMTH4008LFDFWQ-7R DMTH4008LFDFWQ-7R-A

Clasificación del fabricante

Discrete Semiconductors > MOSFETs > DMTH4008LFDFWQ