Datasheet Nexperia PMV65XPE — Ficha de datos
| Fabricante | Nexperia |
| Serie | PMV65XPE |
MOSFET de trinchera de canal P de 20 V
Hojas de datos
Datasheet PMV65XPE
PDF, 719 Kb, Idioma: en, Revisión: 04201705, Archivo subido: oct 13, 2025, Páginas: 15
20 V, P-channel Trench MOSFET
20 V, P-channel Trench MOSFET
Extracto del documento
Descripción detallada
Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
Paramétricos
| Parameters / Models | PMV65XPER |
|---|---|
| Automotive qualified | N |
| Ciss [typ] (pF) | 618 |
| Coss [typ] (pF) | 80 |
| Channel type | P |
| ID [max] (A) | -3.3 |
| Nr of transistors | 1 |
| Ordering code (12NC) | 934068499215 |
| Ptot [max] (W) | 0.48 |
| Package name | SOT23 |
| Package version | SOT23 |
| Packing | SOT23_215 |
| Packing Quantity | 3,000 |
| Product status | Production |
| QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC) | 5 |
| QGD [typ] (nC) | 1.1 |
| RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ) | 125 |
| RDSon [max] @ VGS = 4.5 V; @25 C (mΩ) | 78 |
| Release date | 2014-04-25 |
| Status | Active |
| Tj [max] (°C) | 150 |
| VDS [max] (V) | -20 |
| VESD (kV) (kV) | 2000 |
| VGS [max] (V) | 12 |
| VGSth @25 C [min] (V) | -0.75 |
| VGSth [max] @25 C (V) | -1.25 |
| VGSth [typ] (V) | -1 |
Linea modelo
Serie: PMV65XPE (1)
Clasificación del fabricante
- MOSFETs > Small signal MOSFETs