Datasheet Nexperia PMV65UNEAR — Ficha de datos
MOSFET de trinchera de canal N de 20 V
Hojas de datos
Datasheet PMV65UNEA
PDF, 258 Kb, Idioma: en, Revisión: 23202103, Archivo subido: oct 13, 2025, Páginas: 15
20 V, N-channel Trench MOSFET
20 V, N-channel Trench MOSFET
Extracto del documento
Descripción detallada
Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal N en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
Paramétricos
Automotive qualified | Y |
Ciss [typ] (pF) | 291 |
Coss [typ] (pF) | 52 |
Channel type | N |
ID [max] (A) | 2.8 |
Nr of transistors | 1 |
Ordering code (12NC) | 934070691215 |
Ptot [max] (W) | 0.94 |
Package name | SOT23 |
Package version | SOT23 |
Packing | SOT23_215 |
Packing Quantity | 3,000 |
Product status | Production |
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC) | 3.8 |
QGD [typ] (nC) | 0.9 |
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ) | 83 |
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V; @25 C (mΩ) | 73 |
Release date | 2017-03-17 |
Status | Active |
Tj [max] (°C) | 150 |
VDS [max] (V) | 20 |
VGSth [typ] (V) | 0.7 |
Linea modelo
Serie: PMV65UNEA (1)
- PMV65UNEAR
Clasificación del fabricante
- Automotive qualified products (AEC-Q100/Q101) > Automotive MOSFETs