Datasheet Ampleon CLF09H4LS800P — Ficha de datos
| Fabricante | Ampleon |
| Serie | CLF09H4LS800P |

Transistor HEMT de GaN de 800 W con ajuste interno preajustado en encapsulado SOT-1214B
Hojas de datos
Brochure "RF power application reports for ISM, broadcast, navigation and safety radio applications"
PDF, 3.5 Mb, Idioma: en, Archivo subido: sept 28, 2026, Páginas: 22
Application Catalog - RF power solutions for MultiMarket / September 2026 / Advancing society through RF
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Extracto del documento
Descripción detallada
El CLF09H4LS800P es un transistor de potencia RF GaN HEMT de 800 W con adaptación interna preestablecida, utilizable en frecuencias de 902 MHz a 928 MHz.
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Fabricante | Ampleón |
| Tipo | HEMT de GaN de RF, preadaptado internamente |
| Tecnología | GaN sobre SiC |
| Frecuencia de funcionamiento | 902–928 MHz |
| Potencia de salida | 800 W |
| Tensión de alimentación | 50 V |
| Eficiencia de drenaje | Hasta un 81,8 % CW |
| Ganancia de potencia | Hasta 17,4 dB a 928 MHz |
| Paquete | ACC-780 / SOT1214B |
| Montaje | Paquete de RF de alta potencia |
Linea modelo
Serie: CLF09H4LS800P (2)