Datasheet JX Semiconductor JX4S0150R330M — Ficha de datos
| Fabricante | JX Semiconductor |
| Serie | JX4S0150R330M |
| Numero de parte | JX4S0150R330M |
MOSFET de canal N de SiC de 3300 V en encapsulado TO-247
Hojas de datos
Datasheet JX4S0150R330M
PDF, 652 Kb, Idioma: en, Archivo subido: oct 7, 2026, Páginas: 7
3300V SiC N-Channel MOSFET in TO-247 package
3300V SiC N-Channel MOSFET in TO-247 package
Extracto del documento
Descripción detallada
Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio.
Además, su baja resistencia de encendido y su tamaño compacto garantizan una baja capacitancia y carga de puerta. En consecuencia, las ventajas del sistema incluyen una mayor eficiencia, una frecuencia de operación más rápida, una mayor densidad de potencia, una menor interferencia electromagnética (EMI) y un tamaño reducido del sistema.
Clasificación del fabricante
- Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor