Datasheet PHK12NQ03LT - NXP MOSFET, N, SO-8 — Ficha de datos

Fabricante	NXP
Serie	PHK12NQ03LT

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Fabricante: NXP

Descripción: MOSFET, N, SO-8

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Legajo:
PHK12NQ03LT
Nivel lógico TrenchMOSTM de canal N FET
M3D315
Rev.

02 - 02 de marzo de 2004
Datos del producto

Especificaciones:

• Intensidad Drenador Continua Id: 11.8 A
• Id. De corriente máx .: 11.8 A
• Temperatura actual: 25 ° C
• Drenaje Fuente Voltaje Vds: 30 V
• Profundidad externa: 5.2 mm
• Longitud / altura externa: 1,75 mm
• Ancho externo: 4.05 mm
• Temperatura de potencia máxima: 25 ° C
• Tipo de montaje: SMD
• Número de pines: 8
• Número de transistores: 1
• Sobre la resistencia del estado: 14 MOhm
• Rango de temperatura de funcionamiento: -55 ° C a + 150 ° C
• Paquete / Estuche: SOIC
• Pd de disipación de potencia: 2.5 W
• Idm de corriente de pulso: 35.3 A
• Rds (encendido) Voltaje de prueba Vgs: 10 V
• Paso de fila: 6.3 mm
• Marcado SMD: PHK12NQ03LT
• SVHC: No SVHC (18-jun-2010)
• Umbral de voltaje Vgs Typ: 2 V
• Estilo de caja del transistor: SOIC
• Polaridad del transistor: canal N
• Tensión Vds Typ: 30 V
• Voltaje Vgs Máx .: 20 V
• Voltaje Vgs Rds en Medida: 10 V

RoHS: sí

Accesorios:

• Dow Corning - 2265931
• Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
• Fischer Elektronik - WLK 5

Linea modelo