Datasheet Texas Instruments CSD16323Q3 — Ficha de datos

FabricanteTexas Instruments
SerieCSD16323Q3
Numero de parteCSD16323Q3
Datasheet Texas Instruments CSD16323Q3

N-Channel NexFET ™ Power MOSFET 8-VSON-CLIP -55 a 150

Hojas de datos

CSD16323Q3 N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 421 Kb, Revisión: C, Archivo publicado: nov 29, 2016
Extracto del documento

Precios

Estado

Estado del ciclo de vidaActivo (Recomendado para nuevos diseños)
Disponibilidad de muestra del fabricante

Embalaje

Pin8
Package TypeDQG
Package QTY2500
CarrierLARGE T&R
Device MarkingCSD16323
Width (mm)3.3
Length (mm)3.3
Thickness (mm)1
Mechanical DataDescargar

Paramétricos

ConfigurationSingle
ID, Silicon limited at Tc=25degC21 A
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)112 A
PackageSON3x3 mm
QG Typ6.2 nC
QGD Typ1.1 nC
RDS(on) Typ at VGS=4.5V4.4 mOhm
Rds(on) Max at VGS=4.5V5.5 mOhms
VDS25 V
VGS10 V
VGSTH Typ1.1 V

Plan ecológico

RoHSObediente
Pb gratis

Notas de aplicación

  • Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs
    PDF, 1.4 Mb, Archivo publicado: nov 16, 2011

Clasificación del fabricante

  • Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor