Datasheet Texas Instruments CSD16411Q3 — Ficha de datos

FabricanteTexas Instruments
SerieCSD16411Q3
Numero de parteCSD16411Q3
Datasheet Texas Instruments CSD16411Q3

N-Channel NexFET ™ Power MOSFET 8-VSON-CLIP -55 a 150

Hojas de datos

CSD16411Q3 25-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 542 Kb, Revisión: B, Archivo publicado: nov 29, 2016
Extracto del documento

Precios

Estado

Estado del ciclo de vidaActivo (Recomendado para nuevos diseños)
Disponibilidad de muestra del fabricante

Embalaje

Pin8
Package TypeDQG
Package QTY2500
CarrierLARGE T&R
Device MarkingCSD16411
Width (mm)3.3
Length (mm)3.3
Thickness (mm)1
Mechanical DataDescargar

Paramétricos

ConfigurationSingle
ID, Silicon limited at Tc=25degC56 A
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)138 A
PackageSON3x3 mm
QG Typ2.9 nC
QGD Typ0.7 nC
RDS(on) Typ at VGS=4.5V12 mOhm
Rds(on) Max at VGS=10V10 mOhms
Rds(on) Max at VGS=4.5V15 mOhms
VDS25 V
VGS16 V
VGSTH Typ2 V

Plan ecológico

RoHSObediente
Pb gratis

Kits de diseño y Módulos de evaluación

  • Evaluation Modules & Boards: TPS2592AAEVM-531
    TPS2592AA 12-V eFuse Evaluation Module
    Estado del ciclo de vida: Activo (Recomendado para nuevos diseños)
  • Evaluation Modules & Boards: TPS2592BLEVM-531
    TPS2592BL 12-V eFuse Evaluation Module
    Estado del ciclo de vida: Activo (Recomendado para nuevos diseños)

Notas de aplicación

  • Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs
    PDF, 1.4 Mb, Archivo publicado: nov 16, 2011

Clasificación del fabricante

  • Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor