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Hojas de datosDatasheet JX3S0020120M (JX Semiconductor)

Datasheet JX3S0020120M (JX Semiconductor) - 6

FabricanteJX Semiconductor
Descripción1200V, 40 Ohm, Silicon Carbide MOSFET in TO-247-3L package
Páginas / Página10 / 6 — JX3S0040R120MC. 阈值电压. 栅极电荷特性. Threshold Voltage. Gate Charge …
Formato / tamaño de archivoPDF / 813 Kb
Idioma del documentoInglés

JX3S0040R120MC. 阈值电压. 栅极电荷特性. Threshold Voltage. Gate Charge Characteristics. VGS(th)=f(TJ), VGS=VDS, IDS=10mA

JX3S0040R120MC 阈值电压 栅极电荷特性 Threshold Voltage Gate Charge Characteristics VGS(th)=f(TJ), VGS=VDS, IDS=10mA

Línea de modelo para esta hoja de datos

JX3S0040R120MC

Versión de texto del documento

JX3S0040R120MC 阈值电压 栅极电荷特性 Threshold Voltage Gate Charge Characteristics VGS(th)=f(TJ), VGS=VDS, IDS=10mA VGS=f(QG), IDS=40A, IGS=50mA, VDS=800V, TJ=25 第三象限特性 第三象限特性 3rd Quadrant Characteristics 3rd Quadrant Characteristics IDS=f(VDS), TJ=25
℃
IDS=f(VDS), TJ=150
℃ Document Outline 特点 Features