Datasheets - JFET
Subsección: "JFET"
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Conmutador de canal N en encapsulado SOT-23 Este dispositivo está diseñado para conmutación analógica de bajo nivel, circuitos de muestreo y retención y amplificadores estabilizados por chopper.- Conmutador de canal N en encapsulado SOT-23 Este dispositivo está diseñado para conmutación analógica de bajo nivel, circuitos de muestreo y retención y amplificadores estabilizados por chopper.
- Conmutador de canal N en encapsulado SOT-23 Este dispositivo está diseñado para conmutación analógica de bajo nivel, circuitos de muestreo y retención y amplificadores estabilizados por chopper.
Transistor JFET de canal N de 35 V en encapsulado TO-92 Este dispositivo JFET de canal N está diseñado para aplicaciones de conmutación y corte analógicos. Obsoleto- Transistor JFET de canal N de 35 V en encapsulado TO-92 Este dispositivo JFET de canal N está diseñado para aplicaciones de conmutación y corte analógicos. Obsoleto
- Transistores chopper JFET en encapsulado TO-92 Este dispositivo JFET de canal N está diseñado para aplicaciones de conmutación y corte analógicos.
- Transistor JFET de canal N, 30 V en encapsulado TO-92 Obsoleto Este dispositivo JFET de canal N está diseñado para aplicaciones de conmutación y corte analógicos.
- JFET de señal pequeña de canal N en encapsulado TO-92 Obsoleto Este dispositivo JFET de canal N está diseñado para aplicaciones de conmutación y corte analógicos.
- JFET de señal pequeña de canal N en encapsulado TO-92 Obsoleto
- JFET de canal P Los JFET InterFET J270 y J271 de -30 V están diseñados para amplificadores y conmutadores de alta ganancia y bajo ruido. El J270 tiene una tensión de corte inferior a 2,0 V, ideal para fuentes de alimentación de bajo nivel.
- JFET de canal P Los JFET InterFET J270 y J271 de -30 V están diseñados para amplificadores y conmutadores de alta ganancia y bajo ruido. El J270 tiene una tensión de corte inferior a 2,0 V, ideal para fuentes de alimentación de bajo nivel.
- JFETS de canal N de silicio Los dispositivos de la serie PN4391 de CENTRAL SEMICONDUCTOR son JFET de silicio de canal N diseñados para aplicaciones de conmutación y corte analógicos.
- JFETS de canal N de silicio Los dispositivos de la serie PN4391 de CENTRAL SEMICONDUCTOR son JFET de silicio de canal N diseñados para aplicaciones de conmutación y corte analógicos.
- Transistor de efecto de campo de unión de canal N
- Transistor de efecto de campo de unión de canal N
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- JFET de canal N La serie 2N/SST5484 consta de JFET de canal n diseñados para proporcionar amplificación de alto rendimiento, especialmente en altas frecuencias de hasta 400 MHz y más.
- JFET de canal N La serie 2N/SST5484 consta de JFET de canal n diseñados para proporcionar amplificación de alto rendimiento, especialmente en altas frecuencias de hasta 400 MHz y más.
- JFET de canal N La serie 2N/SST5484 consta de JFET de canal n diseñados para proporcionar amplificación de alto rendimiento, especialmente en altas frecuencias de hasta 400 MHz y más.
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