Circuito integrado de etapa de potencia electrónica de 100 V y 20 A Transistores FET eGaN de lado alto y lado bajo integrados con controlador de puerta interno y convertidor de nivel. Corriente de carga de la etapa de potencia: 20 A. Tensión de ...
Circuito integrado de etapa de potencia electrónica de 100 V y 20 A Transistores FET eGaN de lado alto y lado bajo integrados con controlador de puerta interno y convertidor de nivel. Corriente de carga de la etapa de potencia: 20 A. Tensión de ...
Circuito integrado de etapa de potencia electrónica de 100 V y 35 A Transistores FET eGaN de lado alto y lado bajo integrados con controlador de puerta interno y convertidor de nivel. Corriente de carga de la etapa de potencia: 35 A. Tensión de ...
Circuito integrado de etapa de potencia electrónica de 100 V y 35 A Transistores FET eGaN de lado alto y lado bajo integrados con controlador de puerta interno y convertidor de nivel. Corriente de carga de la etapa de potencia: 35 A. Tensión de ...