Datasheets - Circuitos integrados de etapa de potencia de medio puente

Subsección: "Circuitos integrados de etapa de potencia de medio puente"
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  1. Datasheet Efficient Power Conversion EPC23111ENGRT
    100V, 20 A ePower Stage IC Integrated high side and low side eGaN FETs with internal gate driver and level shifter Power Stage Load Current, 20 A Maximum Input Voltage, 100 V
  2. Circuito integrado de etapa de potencia electrónica de 100 V y 20 A Transistores FET eGaN de lado alto y lado bajo integrados con controlador de puerta interno y convertidor de nivel. Corriente de carga de la etapa de potencia: 20 A. Tensión de ...
  1. Circuito integrado de etapa de potencia electrónica de 100 V y 35 A Transistores FET eGaN de lado alto y lado bajo integrados con controlador de puerta interno y convertidor de nivel. Corriente de carga de la etapa de potencia: 35 A. Tensión de ...
  2. Datasheet Efficient Power Conversion EPC23108
    Circuito integrado de etapa de potencia electrónica de 100 V y 35 A Transistores FET eGaN de lado alto y lado bajo integrados con controlador de puerta interno y convertidor de nivel. Corriente de carga de la etapa de potencia: 35 A. Tensión de ...