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1. CLP24H4S30PZ — Datasheet Ampleon
   FET, MOSFET simples Ampleon CLP24H4S30P CLP24H4S30PZ
   

   Potencia de RF GaN-SiC HEMT Transistor de potencia HEMT GaN-SiC de 30 W optimizado con la mejor potencia y eficiencia de onda continua (CW) para aplicaciones culinarias, industriales, científicas y médicas en frecuencias de 2400 MHz a 2500 MHz. El ...
2. CLP24H4S30PXY — Datasheet Ampleon
   FET, MOSFET simples Ampleon CLP24H4S30P CLP24H4S30PXY
   

   Potencia de RF GaN-SiC HEMT Transistor de potencia HEMT GaN-SiC de 30 W optimizado con la mejor potencia y eficiencia de onda continua (CW) para aplicaciones culinarias, industriales, científicas y médicas en frecuencias de 2400 MHz a 2500 MHz. El ...