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- Regulador de baja potencia (LDO) de 30 V y 100 mA La serie HT75xx-1 es un conjunto de transistores de tres terminales de baja potencia y alto voltaje, implementados con tecnología CMOS. Ofrecen una corriente de salida de 100 mA y admiten un voltaje ...
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Circuito integrado programable de señal mixta GreenPAK, rango de VDD: 1,71-5,5 V, 10 GPIO, 2 ACMP, programable en múltiples momentos, I2C en encapsulado STQFN-12 El SLG46801 integra las funciones de señal mixta más populares con memoria programable ...
MOSFET de carburo de silicio de canal N, 1700 V, 40 A, 72 mΩ, encapsulado TO-247-3L. El MOSFET de SiC de la serie JX-MT3 en encapsulado TO-247-3L garantiza un funcionamiento estable a altas temperaturas para sistemas de alta densidad de potencia y ...- MOSFET de carburo de silicio de canal N, 1200 V, 60 A, 45 mΩ, encapsulado TO-247-3. El MOSFET de SiC de la serie JX-MT3 en encapsulado TO-247-3 garantiza un funcionamiento estable a altas temperaturas para sistemas de alta densidad de potencia y ...
- MOSFET de canal N de SiC de 1700 V en encapsulado TO-247 Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. ...
- MOSFET de carburo de silicio de canal N, 1700 V, 40 A, 72 mΩ, encapsulado TO-247-3L. El MOSFET de SiC de la serie JX-MT3 en encapsulado TO-247-3L garantiza un funcionamiento estable a altas temperaturas para sistemas de alta densidad de potencia y ...
- MOSFET de canal N de SiC de 3300 V en encapsulado TO-247 Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. ...