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LED de cátodo para pantalla de siete segmentos de 0,56 de color blanco Material del chip: Chip LED azul InGaN
Interruptor táctil de 6 mm, alta temperatura
- Interruptor táctil de 6 mm, alta temperatura
- Microcontroladores de la familia AVR EB con ADC/PGA diferencial de 12 bits, PWM de 4 canales y memoria Flash RWW.
- Microcontroladores de la familia AVR EB con ADC/PGA diferencial de 12 bits, PWM de 4 canales y memoria Flash RWW.
- Microcontroladores de la familia AVR EB con ADC/PGA diferencial de 12 bits, PWM de 4 canales y memoria Flash RWW.
- Microcontroladores de la familia AVR EB con ADC/PGA diferencial de 12 bits, PWM de 4 canales y memoria Flash RWW.
MOSFET de canal P de 12 V (DS) en encapsulado SOT-23 (TO-236)- Regulador de voltaje de alta precisión
Diodo Schottky de 1,0 A y 80 V en encapsulado DO-41.- Diodo Schottky de 1,0 A, 60 V, en encapsulado DO-41.
- Diodo Schottky de 1,0 A y 50 V en encapsulado DO-41.
- Diodo Schottky de 1,0 A y 40 V en encapsulado DO-41.
- Diodo Schottky de 1,0 A y 30 V en encapsulado DO-41.
- Diodo Schottky de 1,0 A y 20 V en encapsulado DO-41.
- Diodo Schottky de 1,0 A y 100 V en encapsulado DO-41.
- Transistor bipolar de potencia de uso general Par complementario de amplificador de potencia de baja frecuencia con UTC 2SD649/A
- Transistor bipolar de potencia de uso general Par complementario de amplificador de potencia de baja frecuencia con UTC 2SD669/A
- Procesadores y controladores de señal digital (DSP, DSC) Microchip dsPIC33CK dsPIC33CK256MC006 DSPIC33CK256MC006-I/PTControladores de señal digital de 16 bits con PWM de alta velocidad y velocidad de datos flexible CAN (CAN FD)
Módulo de potencia FlatPAK HC0 moldeado por transferencia, medio puente - MOSFET de potencia, 200 A en encapsulado FlatPAK HC0