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MOSFET automotriz de canal N de 80 V (DS) y 175 °C
MOSFET de canal P de 100 V (DS) MOSFET de potencia TrenchFET, libre de halógenos según IEC 61249-2-21.
Fotorresistencia CdS Un fotorresistor es una resistencia hecha de material semiconductor, cuya conductancia cambia con la variación de luminancia. El fotorresistor puede fabricarse con diferentes figuras y áreas iluminadas según esta ...- Producto mejorado Controlador LED de 16 canales con corrección DOT y control PWM en escala de grises 28-HTSSOP -40 a 125
MOSFET PowerTrench de canal N único de 2,5 V especificado, 30 V, 5,0 A, 40 mΩ Este MOSFET de canal N único ha sido diseñado utilizando un proceso Power Trench avanzado para optimizar el RDS(on) @ VGS = 2,5 V en un marco conductor MicroFET especial.
Schottky Envasado en el paquete SOD523, esta incorporación a la gama de diodos Schottky de baja fuga Zetex ofrece un rendimiento VF/IR bajo ideal combinado con una altura de paquete baja de 0,9 mm, lo que hace que el dispositivo sea adecuado para ...
Schottky- Este rectificador de barrera Schottky está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices. Es ideal para usarse como diodos de protección de polaridad, diodos de recirculación y diodos de conmutación.
- Schottky
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Controlador de puente de bus I2C/SPI a UART para automoción con 64 bytes de FIFO TX/RX El PI7C9X762Q es un controlador de puente UART de alto rendimiento de bus I₂C/SPI a canal dual. Ofrece velocidades de datos de hasta 33 Mbps y garantiza una baja ...
Resistencia de potencia de 50 W con tecnología de película gruesa Características 50 W a 50 °C de temperatura de la caja con disipador de calor montado Montaje directo de cerámica sobre disipador de calor Amplio rango de resistencia: 0,010 Ω a 450 kΩ
Sensor de ángulo magnético omnipolar en paquete LGA8L El sensor de ángulo magnético omnipolar LF53464 es un sensor magnético de alta precisión que mide ángulos de 0 a 360 grados en los ejes X e Y, con compensación de deriva térmica, lo que ...- Sensor de ángulo magnético omnipolar en paquete TSSOP8 El sensor de ángulo magnético omnipolar LF53466 es un sensor magnético de alta precisión que mide ángulos de 0 a 360 grados en los ejes X e Y, con compensación de deriva térmica, lo que ...
MOSFET de canal N doble de 30 V (DS)
MOSFET de trinchera de canal P único de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
MOSFET de trinchera de canal P único de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.- MOSFET de trinchera de canal N de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal N en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
- MOSFET de trinchera de canal N de 40 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal N en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
- MOSFET de trinchera de canal P de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.