Datasheets - FRAM

Subsección: "FRAM"
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  1. Memoria FRAM 4M (512 K x 8) Bit SPI MB85RS4MTY es un chip FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) en una configuración de 524,288 palabras x 8 bits, que utiliza el proceso ferroeléctrico y las tecnologías de proceso CMOS de puerta de silicio para ...
  2. Memoria FRAM 4M (512 K x 8) Bit SPI MB85RS4MTY es un chip FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) en una configuración de 524,288 palabras x 8 bits, que utiliza el proceso ferroeléctrico y las tecnologías de proceso CMOS de puerta de silicio para ...
  3. Memoria FRAM 4M (512 K x 8) Bit SPI MB85RS4MTY es un chip FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) en una configuración de 524,288 palabras x 8 bits, que utiliza el proceso ferroeléctrico y las tecnologías de proceso CMOS de puerta de silicio para ...
  4. Memoria FRAM 4M (512 K x 8) Bit SPI MB85RS4MTY es un chip FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) en una configuración de 524,288 palabras x 8 bits, que utiliza el proceso ferroeléctrico y las tecnologías de proceso CMOS de puerta de silicio para ...
  1. Memoria FRAM 4M (512K x 8) Bit SPI
  2. Memoria FRAM 4M (512K x 8) Bit SPI
  3. Memoria FRAM 4M (512K x 8) Bit SPI
  4. Memoria FRAM 8M (512K × 16) Bit
  5. Memoria FRAM 8M (512K × 16) Bit
  6. Memoria FRAM 64K (8Kx8) Bit SPI
  7. Memoria FRAM 64K (8Kx8) Bit SPI
  8. Memoria FRAM 64K (8Kx8) Bit SPI
  9. Memoria FRAM 64K (8Kx8) Bit SPI
  10. El MR48V256C es una memoria ferroeléctrica de acceso aleatorio (FeRAM) no volátil de 32.768 palabras x 8 bits fabricada en tecnología CMOS con puerta de silicio. Como las celdas de FeRAM no son volátiles, se pueden eliminar las baterías de respaldo ...
  11. El MR45V100A es una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrico (FeRAM) no volátil de 128K palabras x 8 bits fabricado en tecnología CMOS con puerta de silicio
  12. El MR44V100A es una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrico (FeRAM) no volátil de 131,072 palabras x 8 bits fabricado en tecnología CMOS con puerta de silicio