Datasheets - Resistencias de deriva

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1. WSBS85181L000JK35 — Datasheet Vishay
   Resistencias de deriva Vishay WSBS8518...35 WSBS85181L000JK35
   

   Resistencia de derivación de banda metálica de potencia con clavijas de detección, TCR bajo (hasta ± 10 ppm / ° C), valor muy bajo (100 µΩ, 500 µΩ y 1000 µΩ)
2. WSBS85181L000JT35 — Datasheet Vishay
   Resistencias de deriva Vishay WSBS8518...35 WSBS85181L000JT35
   

   Resistencia de derivación de banda metálica de potencia con clavijas de detección, TCR bajo (hasta ± 10 ppm / ° C), valor muy bajo (100 µΩ, 500 µΩ y 1000 µΩ)

3. WSBS8518L1000JK35 — Datasheet Vishay
   Resistencias de deriva Vishay WSBS8518...35 WSBS8518L1000JK35
   

   Resistencia de derivación de banda metálica de potencia con clavijas de detección, TCR bajo (hasta ± 10 ppm / ° C), valor muy bajo (100 µΩ, 500 µΩ y 1000 µΩ)
4. WSBS8518L1000JT35 — Datasheet Vishay
   Resistencias de deriva Vishay WSBS8518...35 WSBS8518L1000JT35
   

   Resistencia de derivación de banda metálica de potencia con clavijas de detección, TCR bajo (hasta ± 10 ppm / ° C), valor muy bajo (100 µΩ, 500 µΩ y 1000 µΩ)
5. WSBS8518L1000KT35 — Datasheet Vishay
   Resistencias de deriva Vishay WSBS8518...35 WSBS8518L1000KT35
   

   Resistencia de derivación de banda metálica de potencia con clavijas de detección, TCR bajo (hasta ± 10 ppm / ° C), valor muy bajo (100 µΩ, 500 µΩ y 1000 µΩ)
6. WSBS8518L5000JK35 — Datasheet Vishay
   Resistencias de deriva Vishay WSBS8518...35 WSBS8518L5000JK35
   

   Resistencia de derivación de banda metálica de potencia con clavijas de detección, TCR bajo (hasta ± 10 ppm / ° C), valor muy bajo (100 µΩ, 500 µΩ y 1000 µΩ)
7. WSBS8518L5000JT35 — Datasheet Vishay
   Resistencias de deriva Vishay WSBS8518...35 WSBS8518L5000JT35
   

   Resistencia de derivación de banda metálica de potencia con clavijas de detección, TCR bajo (hasta ± 10 ppm / ° C), valor muy bajo (100 µΩ, 500 µΩ y 1000 µΩ)
8. WSBS8518...35 — Datasheet Vishay
   Resistencias de deriva Vishay WSBS8518...35
   Resistencia de derivación de banda metálica de potencia con clavijas de detección, TCR bajo (hasta ± 10 ppm / ° C), valor muy bajo (100 µΩ, 500 µΩ y 1000 µΩ)
9. WSBS8518L1000JT34 — Datasheet Vishay
   Resistencias de deriva Vishay WSBS8518...34 WSBS8518L1000JT34
   

   Resistencia de derivación de tira de metal de potencia, TCR bajo (hasta ± 10 ppm / ° C), valor muy bajo (100 µΩ, 500 µΩ y 1000 µΩ)
10. WSBS8518L5000JK34 — Datasheet Vishay
    Resistencias de deriva Vishay WSBS8518...34 WSBS8518L5000JK34
    

    Resistencia de derivación de tira de metal de potencia, TCR bajo (hasta ± 10 ppm / ° C), valor muy bajo (100 µΩ, 500 µΩ y 1000 µΩ)
11. WSBS8518L5000JT34 — Datasheet Vishay
    Resistencias de deriva Vishay WSBS8518...34 WSBS8518L5000JT34
    

    Resistencia de derivación de tira de metal de potencia, TCR bajo (hasta ± 10 ppm / ° C), valor muy bajo (100 µΩ, 500 µΩ y 1000 µΩ)
12. WSBS8518L5000KK34 — Datasheet Vishay
    Resistencias de deriva Vishay WSBS8518...34 WSBS8518L5000KK34
    

    Resistencia de derivación de tira de metal de potencia, TCR bajo (hasta ± 10 ppm / ° C), valor muy bajo (100 µΩ, 500 µΩ y 1000 µΩ)
13. WSBS8518...34 — Datasheet Vishay
    Resistencias de deriva Vishay WSBS8518...34
    Resistencia de derivación de tira de metal de potencia, TCR bajo (hasta ± 10 ppm / ° C), valor muy bajo (100 µΩ, 500 µΩ y 1000 µΩ)
14. WSBS85181L000JT34 — Datasheet Vishay
    Resistencias de deriva Vishay WSBS8518...34 WSBS85181L000JT34
    

    Resistencia de derivación de tira de metal de potencia, TCR bajo (hasta ± 10 ppm / ° C), valor muy bajo (100 µΩ, 500 µΩ y 1000 µΩ)
15. WSBS8518L1000JK34 — Datasheet Vishay
    Resistencias de deriva Vishay WSBS8518...34 WSBS8518L1000JK34
    

    Resistencia de derivación de tira de metal de potencia, TCR bajo (hasta ± 10 ppm / ° C), valor muy bajo (100 µΩ, 500 µΩ y 1000 µΩ)
16. WSBS85181L000JK34 — Datasheet Vishay
    Resistencias de deriva Vishay WSBS8518...34 WSBS85181L000JK34
    

    Resistencia de derivación de tira de metal de potencia, TCR bajo (hasta ± 10 ppm / ° C), valor muy bajo (100 µΩ, 500 µΩ y 1000 µΩ)