Datasheet Texas Instruments CSD13306W — Ficha de datos
Fabricante | Texas Instruments |
Serie | CSD13306W |
Numero de parte | CSD13306W |
CSD13306W MOSFET 6-DSBGA N-Channel NexFET ™ de 12 V
Hojas de datos
CSD13306W 12 V N Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 611 Kb, Archivo publicado: marzo 16, 2015
Extracto del documento
Precios
Estado
Estado del ciclo de vida | Activo (Recomendado para nuevos diseños) |
Disponibilidad de muestra del fabricante | Sí |
Embalaje
Pin | 6 |
Package Type | YZC |
Industry STD Term | DSBGA |
JEDEC Code | R-XBGA-N |
Package QTY | 3000 |
Carrier | LARGE T&R |
Device Marking | 13306 |
Width (mm) | 1.8 |
Length (mm) | 1.5 |
Thickness (mm) | 2 |
Pitch (mm) | .5 |
Max Height (mm) | 1 |
Mechanical Data | Descargar |
Paramétricos
Configuration | Single |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 44 A |
Package | WLP 1.0x1.5 mm |
QG Typ | 8.6 nC |
QGD Typ | 3.0 nC |
RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 8.8 mOhm |
Rds(on) Max at VGS=4.5V | 10.2 mOhms |
VDS | 12 V |
VGS | 10 V |
VGSTH Typ | 1.0 V |
Plan ecológico
RoHS | Obediente |
Linea modelo
Serie: CSD13306W (2)
- CSD13306W CSD13306WT
Clasificación del fabricante
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor