Datasheet Texas Instruments CSD88539ND — Ficha de datos

FabricanteTexas Instruments
SerieCSD88539ND
Numero de parteCSD88539ND
Datasheet Texas Instruments CSD88539ND

MOSFET de potencia NexFET de doble canal N de 60 V, CSD88539ND 8-SOIC -55 a 150

Hojas de datos

CSD88539ND, 60-V Dual N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 952 Kb, Archivo publicado: feb 10, 2014
Extracto del documento

Precios

Estado

Estado del ciclo de vidaActivo (Recomendado para nuevos diseños)
Disponibilidad de muestra del fabricante

Embalaje

Pin8
Package TypeD
Industry STD TermSOIC
JEDEC CodeR-PDSO-G
Package QTY2500
CarrierLARGE T&R
Device Marking88539N
Width (mm)3.91
Length (mm)4.9
Thickness (mm)1.58
Pitch (mm)1.27
Max Height (mm)1.75
Mechanical DataDescargar

Paramétricos

ConfigurationDual
ID, Silicon limited at Tc=25degC11.7 A
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)46 A
PackageSO-8 mm
QG Typ14 nC
QGD Typ2.3 nC
Rds(on) Max at VGS=10V28 mOhms
VDS60 V
VGS20 V
VGSTH Typ3 V

Plan ecológico

RoHSObediente

Linea modelo

Serie: CSD88539ND (2)

Clasificación del fabricante

  • Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor