Datasheet Texas Instruments CSD88539ND — Ficha de datos
Fabricante | Texas Instruments |
Serie | CSD88539ND |
MOSFET de alimentación NexFET de doble canal N de 60 V, CSD88539ND
Hojas de datos
CSD88539ND, 60-V Dual N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 952 Kb, Archivo publicado: feb 10, 2014
Extracto del documento
Precios
Estado
CSD88539ND | CSD88539NDT | |
---|---|---|
Estado del ciclo de vida | Activo (Recomendado para nuevos diseños) | Activo (Recomendado para nuevos diseños) |
Disponibilidad de muestra del fabricante | Sí | No |
Embalaje
CSD88539ND | CSD88539NDT | |
---|---|---|
N | 1 | 2 |
Pin | 8 | 8 |
Package Type | D | D |
Industry STD Term | SOIC | SOIC |
JEDEC Code | R-PDSO-G | R-PDSO-G |
Package QTY | 2500 | 250 |
Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
Device Marking | 88539N | 88539N |
Width (mm) | 3.91 | 3.91 |
Length (mm) | 4.9 | 4.9 |
Thickness (mm) | 1.58 | 1.58 |
Pitch (mm) | 1.27 | 1.27 |
Max Height (mm) | 1.75 | 1.75 |
Mechanical Data | Descargar | Descargar |
Paramétricos
Parameters / Models | CSD88539ND | CSD88539NDT |
---|---|---|
Configuration | Dual | Dual |
ID, Silicon limited at Tc=25degC, A | 11.7 | 11.7 |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 46 | 46 |
Package, mm | SO-8 | SO-8 |
QG Typ, nC | 14 | 14 |
QGD Typ, nC | 2.3 | 2.3 |
Rds(on) Max at VGS=10V, mOhms | 28 | 28 |
VDS, V | 60 | 60 |
VGS, V | 20 | 20 |
VGSTH Typ, V | 3 | 3 |
Plan ecológico
CSD88539ND | CSD88539NDT | |
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RoHS | Obediente | Obediente |
Linea modelo
Serie: CSD88539ND (2)
Clasificación del fabricante
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor