Datasheet Texas Instruments CSD19538Q2 — Ficha de datos
| Fabricante | Texas Instruments |
| Serie | CSD19538Q2 |
| Numero de parte | CSD19538Q2 |
100V, 49mOhm SON2x2 NexFET Power MOSFET 6-WSON -55 a 150
Hojas de datos
CSD19538Q2 100-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 394 Kb, Revisión: A, Archivo publicado: enero 20, 2017
Extracto del documento
Precios
Estado
| Estado del ciclo de vida | Activo (Recomendado para nuevos diseños) |
| Disponibilidad de muestra del fabricante | Sí |
Embalaje
| Pin | 6 |
| Package Type | DQK |
| Package QTY | 3000 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Device Marking | 1958 |
| Width (mm) | 2 |
| Length (mm) | 2 |
| Thickness (mm) | .75 |
| Mechanical Data | Descargar |
Paramétricos
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 13.1 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 34.4 A |
| Package | SON2x2 mm |
| QG Typ | 4.3 nC |
| QGD Typ | 0.8 nC |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 59 mOhms |
| VDS | 100 V |
| VGS | 20 V |
| VGSTH Typ | 3.2 V |
Plan ecológico
| RoHS | Obediente |
Linea modelo
Serie: CSD19538Q2 (2)
- CSD19538Q2 CSD19538Q2T
Clasificación del fabricante
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor