Datasheet Texas Instruments CSD87312Q3E — Ficha de datos
| Fabricante | Texas Instruments |
| Serie | CSD87312Q3E |
Doble MOSFET de potencia NexFET de canal N de 30 V
Hojas de datos
Dual 30-V N-Channel NexFet Power MOSFET, CSD87312Q3E datasheet
PDF, 783 Kb, Archivo publicado: nov 19, 2011
Extracto del documento
Estado
| CSD87312Q3E | CSD87312Q3E-ASY | |
|---|---|---|
| Estado del ciclo de vida | Activo (Recomendado para nuevos diseños) | Vista previa (El dispositivo ha sido anunciado pero no está en producción. Las muestras pueden o no estar disponibles) |
| Disponibilidad de muestra del fabricante | Sí | No |
Embalaje
| CSD87312Q3E | CSD87312Q3E-ASY | |
|---|---|---|
| N | 1 | 2 |
| Pin | 8 | 8 |
| Package Type | DPB | DPB |
| Package QTY | 2500 | |
| Carrier | LARGE T&R | |
| Device Marking | 87312E | |
| Width (mm) | 3.3 | 3.3 |
| Length (mm) | 3.3 | 3.3 |
| Thickness (mm) | .9 | .9 |
| Mechanical Data | Descargar | Descargar |
Paramétricos
| Parameters / Models | CSD87312Q3E | CSD87312Q3E-ASY |
|---|---|---|
| Approx. Price (US$) | 0.35 | 1ku | |
| Configuration | Dual Common Source | Dual Common Source |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC, A | 27 | |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 45 | |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)(A) | 45 | |
| Package, mm | SON3x3 | |
| Package (mm) | SON3x3 | |
| QG Typ, nC | 6.3 | |
| QG Typ(nC) | 6.3 | |
| QGD Typ, nC | 0.7 | |
| QGD Typ(nC) | 0.7 | |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V, mOhm | 31 | |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V(mOhm) | 31 | |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V, mOhms | 38 | |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V(mOhms) | 38 | |
| VDS, V | 30 | |
| VDS(V) | 30 | |
| VGS, V | 10 | |
| VGS(V) | 10 | |
| VGSTH Typ, V | 1 | |
| VGSTH Typ(V) | 1 |
Plan ecológico
| CSD87312Q3E | CSD87312Q3E-ASY | |
|---|---|---|
| RoHS | Obediente | Desobediente |
| Pb gratis | Sí | No |
Linea modelo
Serie: CSD87312Q3E (2)
Clasificación del fabricante
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor