Datasheet Central Semiconductor CDM22010-650 — Ficha de datos

FabricanteCentral Semiconductor
SerieCDM22010-650
Datasheet Central Semiconductor CDM22010-650

MOSFET a través del orificio Modo de mejora de canal N Alta corriente

Hojas de datos

Datasheet CDM22010-650
PDF, 887 Kb, Idioma: en, Archivo subido: abr 10, 2022, Páginas: 4
SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET 10 AMP, 650 VOLT
Extracto del documento

Spice Models

Spice Model CDM22010-650
LIB, 1 Kb, Revisión: A, Archivo publicado: agosto 18, 2014
Extracto del documento

Precios

Estado

CDM22010-650CDM22010-650 SL
Estado del ciclo de vidaActivo (Recomendado para nuevos diseños)Activo (Recomendado para nuevos diseños)

Paramétricos

Parameters / ModelsCDM22010-650
CDM22010-650
CDM22010-650 SL
CDM22010-650 SL
@ID5A5A
@VGS10V10V
DescriptionN-Channel Enhancement Mode High CurrentN-Channel Enhancement Mode High Current
ECCN CodeEAR99EAR99
HTS Code8541.29.00808541.29.0080
ID max10A10A
Marking CodeCEN N
CDM10
-650 D/C
CEN N
CDM10
-650 D/C
MountingThrough-HoleThrough-Hole
PD max2W2W
PackageTO-220TO-220
PolarityN-CHN-CH
Qg typ20nc20nc
VDS max650V650V
VGS max30V30V
rDS(ON) max

Linea modelo

Serie: CDM22010-650 (2)

Clasificación del fabricante

  • MOSFETs & JFETs > MOSFETs