Datasheet Central Semiconductor CDM22010-650 — Ficha de datos

FabricanteCentral Semiconductor
SerieCDM22010-650
Numero de parteCDM22010-650
Datasheet Central Semiconductor CDM22010-650

10A, 650V MOSFET de orificio pasante Modo de mejora de canal N Alta corriente

Hojas de datos

Datasheet CDM22010-650
PDF, 887 Kb, Idioma: en, Archivo subido: abr 10, 2022, Páginas: 4
SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET 10 AMP, 650 VOLT
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Spice Models

Spice Model CDM22010-650
LIB, 1 Kb, Revisión: A, Archivo publicado: agosto 18, 2014
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Precios

Estado

Estado del ciclo de vidaActivo (Recomendado para nuevos diseños)

Paramétricos

@ID5A
@VGS10V
DescriptionN-Channel Enhancement Mode High Current
ECCN CodeEAR99
HTS Code8541.29.0080
ID max10A
Marking CodeCEN N
CDM10
-650 D/C
MountingThrough-Hole
PD max2W
PackageTO-220
PolarityN-CH
Qg typ20nc
VDS max650V
VGS max30V
rDS(ON) max

Linea modelo

Serie: CDM22010-650 (2)

Clasificación del fabricante

  • MOSFETs & JFETs > MOSFETs

Otros nombres:

CDM22010650, CDM22010 650